11月5日，韓國Business Korea報導稱，SK海力士通過將其第六代高帶寬內存（HBM4）產品供應給全球最大的人工智能（AI）半導體公司英偉達（NVDA.US），成功將價格上調了50%以上，進一步鞏固了其在HBM市場上的領先地位。目前，SK海力士已與英偉達就明年HBM4的供貨談判圓滿收官，為其再創佳績鋪平了道路。
今年3月，SK海力士向英偉達交付了全球首個HBM412層堆疊樣品。在獲得積極評價後，SK海力士於6月開始供應首批產品。與此同時，公司還就HBM4的供貨價格與英偉達展開談判，該產品將用於英偉達下一代AI芯片Rubin，預計將於明年下半年問世。談判過程並不順利。 HBM4擁有2048條數據傳輸通道（I/O），是HBM3E的兩倍（1024）。此外，HBM4還在連接圖形處理器（GPU）與HBM的基片中集成了“邏輯工藝”，如計算效率和能源管理功能。正因如此，SK海力士自HBM4起已開始將基片生產外包給台積電，而此前這一環節一直由公司內部自行製造。
考慮到技術升級所涉及的成本，該公司向英偉達提出了HBM4的定價方案，定在500多美元的中等價位，比其前代產品高出50%以上。然而，英偉達對這一大幅漲價表現出猶豫態度，同時考慮到競爭對手三星電子和美國美光公司已開始大規模供應HBM4芯片，雙方因此陷入緊張對峙。
然而，最終供貨價格已按SK海力士提出的每件約560美元達成一致，這有助於該公司繼續鞏固其在HBM4市場上的主導地位。SK海力士一位官員表示：“具體供貨價格及談判細節尚無法確認”，但同時解釋道：“考慮到工藝升級和原材料成本的上漲，HBM4產品具備大幅漲價的條件。”
在完成價格談判後，SK海力士近日為機構投資者舉行了投資者關係（IR）會議，並預測明年將繼續保持較高的營業利潤率。據金融投資行業消息，SK海力士表示：“符合英偉達規格的產品價格與銷量已得到確認，目前的盈利能力正持續維持。”這意味著，即便三星電子和美光即將進入HBM4市場，也不會對公司的營業利潤和業績產生不利影響。
業界預計SK海力士的HBM4利潤率約為60%。市場預測，SK海力士明年HBM銷售額將達約40至42萬億韓元。若保持與今年相同的利潤率，SK海力士僅HBM業務便能實現約25萬億韓元的營業利潤。隨著SK海力士從目前主力供應產品HBM3E轉向HBM4，其HBM業務的整體表現預計將較今年增長40%至50%（今年銷售額約30萬億韓元，營業利潤17萬億韓元）。
預計明年SK海力士的營業利潤將突破70萬億韓元，其HBM4產品已實現盈利。與此同時，隨著全球人工智能基礎設施投資熱潮的興起，圖形雙倍數據速率（GDDR）和低功耗（LP）DDR等通用型DRAM的價格也正大幅上漲。據集邦諮詢（DRAMeXchange）數據顯示，9月份DDR4固定交易價格首次在6年10個月後突破了7美元大關。這主要是由於通用型DRAM的供應瓶頸蔓延所致，因為近年來主要的內存半導體公司紛紛將重心放在確保高帶寬顯存（HBM）生產線的供應上。
隨著DRAM價格飆升，分析指出，海力士明年通用型DRAM的營業利潤率也可能逼近50%至60%。一位業內人士表示：“隨著推理AI市場快速擴張，內存供應短期內難以跟上需求。”他還補充道：“海力士甚至在產品尚未投產前就已售罄明年的全部產能，因此高利潤率將得以持續。”
