目前最強的芯片工藝是2nm，台積電、三星在今年會量產，同時intel的18A也會量產。
按照正常的演變路徑，在2028年的時候，可能會進入1.4nm，然後在2030年的時候，會進入1nm。
不過，這些發展的路徑，理論上都是三星、台積電、intel的事情，和我們關係不大，因為按照正常的邏輯，沒有EUV，進入5nm之下都困難。
那麼我們怎麼辦？按照傳統的矽基芯片光刻方案來看，第一步，必須要自研出EUV光刻機，才有可能突破5nm了。
不過，近日，有一家上海企業，給出了另外一條道路，那就是製造“二維芯片”，不需要EUV，也可以在5年內，就實現1nm芯片的全國產。
這家上海企業叫做原集微科技（上海）有限公司，目前已經點亮了國內首條“二維半導體”工程化驗證示範工藝線。
什麼叫二維半導體？與現在的光刻不一樣，現在的光刻工藝，是利用光刻機，通過一系列的流程，最終在矽晶圓上“雕琢”出晶體管。
而二維半導體，則是不需要用光刻機去進行原子級別的雕琢，而是讓特定材料的原子自發地“生長”出來，直接形成近乎“二維平面”的結構。
這種方式，相比於傳統的光刻工藝，節省80%的流程，比如不需要離子注入、外延生長，對光刻機的要求也不高，普通的DUV光刻機，甚至就能夠實現最先進的芯片。
並且這種二維芯片，相比於傳統的芯片，在漏電、發熱方面表現更好，可以說非常適合當前的中國芯片產業，因為我們沒有EUV光刻機啊。
原集微是一家脫胎於復旦大學科研團隊的企業，成立於2025年，創始人包文中是上海復旦大學微電子學院研究員,博士生導師，他與周鵬教授，一直就在研究二維半導體材料。
之前他與周鵬教授合作，就推出了全球首款二維芯片–“無極”，集成了5900個晶體管，全球最多，技術最領先，相關成果發佈在《自然》上。
如今他開始校企結合，成立原集微公司，就是想將研究成果落地，助力中國芯崛起。
按照計劃，今年6月份設備跑通，9月份就會完成小批量的製造，工藝大約會是90nm芯片的水平，然後2027年實現28nm的水平，2028年實現3-5nm的水平，到2030年時，會達到1nm的水平，並且這個1nm，會是全基於國產設備，完全的自主可控的。
接下來，就看能不能最終實現這個目標了，如果真實現了這個目標，那麼中國芯片就實現歷史性的跨越，真正彎道超車，再也不用怕被卡脖子了。
