聯電聯手英特爾在美開發12奈米製程 估2027投產

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圖為聯電總部。(圖取自Google地圖網頁google.com/maps)
圖為聯電總部。(圖取自Google地圖網頁google.com/maps)

(中央社記者張建中台北25日電)聯電與英特爾(Intel)今天共同宣布,雙方將合作在英特爾美國亞利桑那州廠開發和製造12奈米製程平台,因應行動、通訊基礎建設和網路等市場快速成長需求,合作開發的12奈米製程預計在2027年投入生產。

聯電表示,與英特爾這項長期合作,是結合英特爾位於美國的大規模製造產能,和聯電在成熟製程上豐富的晶圓代工經驗,以擴充製程組合,同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈,協助全球客戶做出更好的採購決策。

英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務(IFS)總經理潘(Stuart Pann)說,英特爾與聯電策略合作,展現為全球半導體供應鏈提供技術和製造創新的承諾,也是實現英特爾在2030年成為全球第2大晶圓代工廠的重要一步。

聯電共同總經理王石表示,聯電與英特爾在美國合作製造12奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程,是追求具成本效益的產能擴張,和技術升級策略的重要一環。

王石說,這項合作將協助客戶順利升級到12奈米製程技術,同時受惠擴展位於北美市場產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待與英特爾策略合作,利用雙方互補優勢,擴大潛在市場,同時大幅加快技術發展時程。

聯電與英特爾合作開發的12奈米製程,將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造,透過運用晶圓廠的現有設備,大幅降低前期投資,並最佳化利用率。

聯電與英特爾將致力滿足客戶需求,透過生態系合作夥伴提供的電子設計自動化(EDA)和智慧財產權(IP)解決方案,合作支援12奈米製程的設計實現,這12奈米製程預計在2027年投入生產。(編輯:張均懋)1130125


標題:聯電聯手英特爾在美開發12奈米製程 估2027投產

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